Schwanger Ber Jurastudium

Fahrprüfungstest mit leihkauf

Charakteristisch für ist der Speicher, herstellt nach der mdp-Technologie, hoch eingangs- der Widerstand. Bei der Bestimmung der Zahl Q wird der Speicher, beladen auf das ttl-Schema, hauptsächlich die Kapazität der Eingänge des integrierten Schaltkreises des Gedächtnisses berücksichtigt.

Der integrierte Schaltkreis 5653 in der informativen Kapazität 16x1. In ihr Blockdiagramm (die Anlage gehen erfüllt in einem Kieselkristall die Matrix des Speichers, die die 16384 Elemente des Gedächtnisses enthält, die 128 auf den Kreuzungen gelegenen Zeilen und 128, 128 Verstärker des Ablesens und der Regeneration, die Dekodiereinrichtungen der Zeilen und, die Einrichtung der Verwaltung, die Einrichtung der Eingabe-Ausgabe und das Multiplexregister der Adresse ein.

Wo: Ra - die Macht konsumiert vom RaM im Regime des Ablesens, der Aufzeichnung; die ro-Macht konsumiert vom RaM im Regime der Aufbewahrung; die mr-Zahl der Zeilen in der Matrix des RaMs; die Tz.min-minimale Zeit des Zyklus der Anrede zum Modul des RaMs; die treg-Periode der Regeneration, die das maximale Intervall der Zeit zwischen zwei Anreden an jede Adresse für die Informationen bestimmt.